制樣機是指可以制作各種規格的力學拉伸試樣條，采用全自動CNC數控系統控制，操作簡便，自動切割樣條，切割精度高，速度快，制作的試樣形狀不受機器限制，只要提供程序，可以制作各種形狀的試樣，條形、啞鈴型、圓形、各種不規則圖形等；主要用途用于鋁合金、銅等有色金屬材料及橡膠塑料、玻璃鋼、塑料、纖維板、有機玻璃、增強玻璃纖維板、特殊復合等材料，也可以用于材料粉末取樣等作用；通過程序控制器控制三軸聯動系統，實現金屬或者非金屬板材的樣條切割、啞鈴型試樣切割、沖擊缺口切割功能，并可以將任意形狀...

具有可控和可調節表面化學性質的清潔表面對于改善材料的界面，生物和電子性能，以獲得Zjia的設備和結構性能至關重要。等離子體表面處理可去除納米級有機污染物，并在不影響整體材料的情況下改變表面化學性質。等離子清洗的好處等離子體清潔是通過化學反應（O2或空氣等離子體）或物理消融（Ar等離子體）去除有機污染物。等離子體處理還在表面上引入了化學官能團（羰基，羧基，羥基），使大多數表面具有親水性，水接觸角的減小和潤濕性的提高。清潔且親水的表面通常對于促進附著力和增強與其他表面的粘合至關重...

硅的各向異性濕法腐蝕是一種常用的制造微機械結構的體硅微加工技術，因為其實現相對容易，成本也相對低廉。而且，在大多數工藝中不需要消耗電力資源。在這一過程中，其反應為：Si+4H2O-Si(OH)4+2H2氫氧根離子沒有明確出現在反應中，但它十分重要，因為它催化反應并確保Si(OH)4產物在溶液中的溶解度。腐蝕的速率取決于溫度、蝕刻劑組成和表面的晶體學取向關系。值得注意的是，因為這種反應只涉及到化學反應，當半導體的電位被外部電源改變使，它的反應速率卻不受影響。各向異性所有堿性蝕刻...

ICP/RIE蝕刻應用范圍：-Si，SiO2，SiN蝕刻工藝-Al，Cr，Ti，TiW，Au，Mo等金屬蝕刻工藝-晶圓尺寸：一片，4英寸，6英寸晶圓RIE等離子刻蝕案例：SiO2/SiN蝕刻80sccmCF4，均勻性幾種功率水平下的壓力與蝕刻速率（如下圖）：PlasmaSTAR®系列等離子處理系統適合處理所有的材料，擁有模塊化腔室和電極配置，可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小，觸摸屏計算機控制，多級程序控制和組件控制，操作簡單。用于研究、工藝開發和批量生產，...

“納米壓印技術”展示了通過在溫度和壓力控制的印刷過程中使熱塑性材料物理變形來執行低于100nm平行光刻的能力。使用通過電子束光刻和干刻蝕圖案化的硅壓模來實現。這項技術的優點在于，可使用具有納米圖案的硅“母版”，進行成千上萬次復制，從而降低成本并提高產量，用于半導體工藝中的開發個研究。包含的技術：熱壓印、UV紫外壓印、微米結構壓印（µCP）、卷對卷壓印和注塑成型等。典型的基材材料：硅，熔融石英，III-V材料和聚合物材料等。典型的壓印聚合物：PMMA，COC，COP...

結合使用等離子處理和旋涂，研究人員可以獲得具有更高穩定性和性能的均勻材料涂層。等離子體處理通過引入含有親水性氧的官能團來改變表面化學性質。極性基團使基材可潤濕，并且能夠更好地與水溶液相互作用。等離子處理促進了粘附力并在基材上平滑鋪展。旋涂設備利用離心力來產生水平，均勻的薄膜和涂層。通過試驗轉速和加速度，研究人員可以JINQUE地確定特定的膜厚。旋涂可改善設備質量和專業外觀。這些工具可以無縫地協同工作，以在各種基材上提供均勻的膜和涂層。在許多應用中，一致的涂層特性可提高穩定性和...

目前，越來越多的原子力顯微鏡被引入到各項研究中，但是相信很多科研人員會發現，做了幾次樣品后，針尖或者懸臂梁總會有東西粘附上去了，圖像質量和原來的形貌出入太大，沒有多少細節，甚至出現雙針尖現象，這個時候，被污染的針尖已經嚴重影響到實驗。而AFM探針針尖應該怎樣清洗才合適呢，這個問題一直困擾著科研人員。粒子探針一般采用的是紫外臭氧清洗技術來清洗有機物，紫外臭氧技術*是光子輸出，對探針表面不會造成任何損傷，是一種溫和的清洗方法。PSD和PSDP系列紫外臭氧系統通過產生185nm和2...