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    Ossila狹縫涂布機&紫外臭氧清洗機助力科研-無鉛錫鈣鈦礦太陽能電池

    更新時間:2025-03-28      點擊次數:110

    一、為何選擇錫替代鉛?

    傳統鉛基鈣鈦礦(如(fapbi?)的效率已突破30%,但其毒性問題引發環境擔憂。錫與鉛同屬iv族元素,電子特性相似,且毒性更低。此外,錫鈣鈦礦的理論極限效率(,33%)()甚至略高于鉛基材料。然而,錫的超快結晶特性導致薄膜易出現孔洞、晶粒不均等問題

    二、實驗方法:氮氣脈沖+添加劑「雙管齊下」

    1. 關鍵策略

    ** ** - 調控」結晶法**::

    2。實驗步驟

    太陽能電池制造

    PSC選擇了倒置結構:玻璃/ito/pedot:PSS/Fasni 3/C 60/BCP/AG。

    40°c 的超聲波熱浴中洗滌圖案化的含氧化錫( 的超聲波熱浴中洗滌圖案化的含氧化錫( 的超聲波熱浴中洗滌圖案化的含氧化錫(,然后使用以下步驟:15分鐘,液體洗滌劑溶于去離子水中(2 v/v(v/v);用去離子水沖洗并超聲5 分鐘;用丙酮沖洗,然后超聲,然后超聲15分鐘;用乙醇沖洗,然后超聲處理15分鐘。,15分鐘。

    對于狹縫涂布涂層,使用uv ossila),并在環境條件下沉積水。沉積保持不變。將薄膜在,120°c退火20分鐘。將底物移入雜物箱后,ossila(ossila),階段保持在,40°C。移動速度設置為5mm s -1 s -1 s -1 ;分配率設置為1μls-1μls-1μls-1。涂層后

    對于所有鈣鈦礦沉積實驗,用5 bar n 2氣體在雜物箱中的5bar n 2氣體中施加了氣吹氣。

    使用熱真空( <10 -6 bar)的熱蒸發室沉積eTl和銀電極。三層和銀電極。三層c 60,bcp和ag的厚度分別為75、7和150 nm。

    對于大面積((50×50毫米)設備的狹縫涂布涂層


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    Ossila紫外臭氧清洗機


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    Ossila狹縫涂布機

    三、創新亮點:如何「馴服」錫的狂野結晶?

    1。氮氣脈沖:精準觸發成核

    (傳統鉛鈣鈦礦常用反溶劑(如甲苯)觸發結晶,但錫的反應速度過快,反溶劑法難以控制。本研究改用氮氣脈沖


    動圖封面



    ( 1)(a),結晶理論的表示(前體濃度時間),顯示了結晶的四個基本階段:穩定,亞穩態,成核爆發和生長; b)通過三種不同的結晶模式形成的鈣鈦礦膜的谷物形態的圖形表示:快速溶劑蒸發:快速溶劑蒸發

    2。添加劑調控:masncl?的魔法

    團隊測試了多種添加劑,Masncl?)(Masncl?)::

    通過原位pl 光譜(圖2a(2a),可清晰看到,masncl?使結晶動力學趨于平緩,pl 量子產率( plqy(Plqy),器件效率達,5.38%。


    動圖封面


    圖2(a)用FASI-SNCL2,FASI-MACL,FASI-MASNCL3和FASI-SNF2印刷的插槽涂層膜上的原位測量(藍色為零的基線和紅色的輪廓圖)。為了更好地比較,將每個測量的強度標準化為在整個實驗過程中檢測到的Z大PL強度。對于FASI-MACL,未觀察到信號演化。相應的原位(b)PL峰強度和(c)峰位置隨時間的變化而變化;由于缺乏信號,將FASI-MACL排除在外。熱退火后的結果包括以下內容:(d)穩態PL光譜和(E)X射線衍射。

    四、實驗結果:從實驗室到工業化的跨越

    1。效率突破

    2。室內光伏潛力

    在led 模擬室內光( 0.03太陽)下,器件效率仍保持,5.4%,證明其在低光環境(如物聯網設備供電)的應用前景。


    動圖封面


    圖3比較FASNI3設備的性能,并用研究的四種添加劑,SNCL2,MACL,MASNCL3,SNF2進行了比較。 (a)合資掃描; (b)每個樣品的光強度依賴性光致發光量子產率(完整設備堆棧); (c)每個樣品的JV性能分布(用于正向的F和R的反向掃描)。


    動圖封面


    LED的圖4(a)頻譜用于測試室內PV性能,以及(b)在不同的MOL%濃度MASNCL3的FASI下,相應的PCE在不同的光強度下。

    五、未來展望:無鉛鈣鈦礦的工業化之路

    (通過狹縫涂布+氮氣觸發可實現錫鈣鈦礦的量產化制備。下一步需優化傳輸層匹配(如能級調整)(0.49 v),(coll到卷)生產線。隨著毒性問題的解決,無鉛鈣鈦礦或將成為下一代柔性、輕質光伏組件的核心材料。,無鉛鈣鈦礦或將成為下一代柔性、輕質光伏組件的核心材料。,無鉛鈣鈦礦或將成為下一代柔性、輕質光伏組件的核心材料。

    參考文獻
    li,X。等。可持續能源燃料 2025,doi:10.1039/d4se01321b


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