等離子處理系統

等離子處理系統

PlasmaSTAR® 100/200

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統適合處理所有的材料。 PlasmaSTAR®系統擁有多種腔室和電極配置，可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。其中較典型的等離子處理工藝包括：

? 等離子預處理

? 光刻膠去膠

? 表面處理

? 各向異性和各向同性蝕刻

? 故障分析應用

? 材料改性

? 封裝清洗

? 鈍化層刻蝕

? 聚酰胺刻蝕

? 促進粘合

? 生物醫學應用

? 聚合反應

? 混合清洗

? 預鍵合清洗

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統設計*且多樣化。其功能包括用于操作臺面上，占地面積小，或層流安裝，以及用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置。此外，觸摸屏計算機控制，多級程序控制和組件控制，操作簡單。

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統用于研究、工藝開發和批量生產。 PlasmaSTAR®系統可輕松集成到自動化生產線和系統中。

該系統基于模塊化設計理念，可適應各種PCB的尺寸。此設計適用于任何尺寸的基片。

PlasmaSTAR®系統提供多個電極模塊，如LF（KHz）或13.56（MHz）的射頻電源以及自動匹配網絡。根據不同的等離子處理工藝選擇不同的電極模塊。

基本系統

PlasmaSTAR®通用基本系統包括必需的閥門、真空泵浦、射頻電源、射頻匹配器、工藝氣體控制和系統控制。這些配置組合提供了一套全自動化等離子處理系統。通用基本系統可容納不同的腔室和電極模塊，這些模塊可輕松放入其中。該系統可快速從一款普通的圓柱形等離子體處理系統轉換為一款用于反應離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極系統或是帶支架的混合等離子清洗系統。

腔室/電極

PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統的*功能。 腔室材料是硬質陽極氧化鋁。 有幾種不同的電極設計，包括用于反應離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極，用于表面清洗或處理的交替托盤電極，用于小化離子損傷的下游電極，和用于普通的圓柱形等離子體處理的籠式電極。

等離子體源

該系統可選配LF（KHz）或13.56（MHz）射頻電源以及自動匹配網絡。

真空泵浦系統

該系統配機械泵或帶羅茨鼓風機的機械泵。根據所需的真空處理水平，可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蝕性泵油（惰性泵油），適用于氧氣或其他腐蝕性化學應用。流量控制器（MFC）的氣體管路是標配。下游壓力控制器是選配。

電腦控制

觸摸屏電腦控制，提供無線程序存儲。多步驟工藝簡單易存。 實時顯示工藝條件。 該控制系統易于編程。 工藝處理可用條形碼讀?。ㄟx配）。

規格

PlasmaSTAR® 100的尺寸：800（寬）x 850（深）x 525（高）mm；重量：約150 Kg。

PlasmaSTAR® 200的尺寸：1,033（寬）x 850（深）x 635（高）mm；重量：約 220 Kg。