UltraT進口濕法刻蝕和剝離系統

簡介：這款蝕刻和清潔系統專為滿足當今晶圓、光掩模和基板的前沿應用的特殊工藝需求而設計。這款高效的蝕刻和清潔系統CESx124、126、128或133是理想選擇，可滿足不同大小尺寸的晶片、光掩模和襯底，不論是從小直徑還是非常大直徑。CESx可以配置多種工藝分配選項，Megasonic噴嘴對DI H20或化學藥品的處理分配選項；用于化學制劑的低壓噴嘴；化學加熱器和DI-H20；用于表面攪拌以加快反應的刷子，和/或DI H20等。

可編程拋物線機械臂運動有助于確保均勻蝕刻?？焖儆行У母稍锛夹g結合了可變的旋轉速度；可選加熱DI-H20和氮氣輔助。該系統非常安全，在接近基底之前，可以通過“漂洗至pH” 盡量減少對化學物質的接觸。

特點：

• 專為重要控制和安全而設計的系統。
• 多達9x9英寸/ 300mm直徑的基板兼容性。
• 主軸組件具有直流無刷伺服電機，可實現準確的速度控制和分度。
• 特氟龍涂層不銹鋼臂可調節臂速度和行進位置。
• 徑向排氣腔，用于大層流，蓋子頂部有N2進料。
• DI-H20加熱器，用于清潔和干燥輔助。
• 過程中包含化學相容性材料PVDF或可選的PTFE。
• 獨立式聚丙烯柜。
• 微處理器控制功能可以在存儲器中保留三十（30）步的配方，每個配方有三十（30）步。配方和步驟的數量均可根據要求擴展。
• 內置安全聯鎖和雙重控制。
• 用聯鎖裝置沖洗整個工藝區域和基材的pH值，以禁止進入工藝區域并控制排放和主軸轉速直到安全。
• 按鈕蓋打開/關閉。
• 觸摸屏圖形用戶界面（GUI），易于編程和安全鎖定，并帶有屏幕錯誤報告。
• 用于化學和房屋排水的排水分流閥。
• 設計符合SEMI S2 / S8準則。

技術參數：

• 產品：蝕刻和剝離系統
• 型號：CESx124
• 可用機械臂：4
• 大基板尺寸：13英寸直徑
• 大主軸速度：2500
• 配方：高達30
• 分配管路：12

主營產品：

Laurell勻膠機    

Harrick等離子清洗機

Thetametrisis膜厚儀 

Microxact探針臺

ALD原子層沉積系統

TRION反應離子刻蝕機

Uvitron紫外固化箱

NXQ紫外曝光光刻機      

Novascan紫外臭氧清洗機

Nilt納米壓印機

Wenesco/EMS/Unitemp/NDA加熱板

Annealsys高溫退火爐

Kinematic程序剪切儀

Laurell EDC系統，濕站系統    

Wabash/Carver自動壓片機