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    當前位置:首頁   >  產品中心  >  光刻膠  >  SU-8膠  >  GM1010/GM1020/GM1075EM Resist SU-8負性抗蝕劑

    EM Resist SU-8負性抗蝕劑

    簡要描述:EM Resist SU-8負性抗蝕劑產品,非常適合半導體應用。我們的產品有各種形式和厚度范圍。
    典型的SU-8過程包括以下步驟:
    基板準備 旋涂 松弛時間以提高表面均勻度 軟烤 曝光后烘烤 發展歷程 沖洗并干燥 可選硬烤

    • 產品型號:GM1010/GM1020/GM1075
    • 廠商性質:代理商
    • 更新時間:2024-05-17
    • 訪  問  量:2471

    詳細介紹

    EM Resist SU-8負性抗蝕劑產品,非常適合半導體應用。我們的產品有各種形式和厚度范圍。

    產品                  膜厚范圍            涂層選項

    GM1010           <0.2微米           噴涂外套

    GM1020           0.2-0.5微米      旋轉,噴涂,噴墨

    GM1030           0.5-1.2微米      旋轉,噴涂,噴墨

    GM1040           0.9-3.2微米      旋轉,噴涂,噴墨

    GM1050            3-8微米              旋轉,噴墨

    GM1060            2-27微米            旋轉,噴墨

    GM1070           15-200微米         旋轉,噴墨

    GM1075           100-400微米       旋轉,噴墨

    小訂購量為250mL

     

    SML Resist是一種高分辨率,高縱橫比的正色調電子束抗蝕劑。EM Resist SU-8負性抗蝕劑具有出色的附著力和出色的抗干蝕刻性。SML可用于MEMS,波帶片,光子學和許多其他納米加工應用

    SML電子束抗蝕劑的厚度范圍從50nm2μm,起始體積僅為50mL

    高性能SML電子束抗蝕劑是一種新型聚合物,專為滿足EBL社區的需求而設計。即使在低加速電壓下,也無需借助鄰近效應校正,就可以同時將其圖案化為高分辨率和高長寬比的圖案。

    SML抗蝕劑經過專門設計,可與標準PMMA工藝配合使用。無需更改化學或過程培訓。

    產品范圍–厚度

    SML5040nm 100nm

    SML10090nm 210nm

    SML300250nm 600nm

     

    技術指標

    高分辨率:<10nm

    *的寬高比:

    30 kV> 101

    > 501 @ 100 kV

    厚度:50 nm 2000 nm

     

    PMMA抗蝕劑是用于電子束光刻的行業標準正性抗蝕劑。我們提供各種分子量和厚度的PMMA

    PMMA Resist是行業標準的電子束抗蝕劑,廣泛用于學術界和工業,用于高分辨率功能和剝離應用。它也可以用于納米壓印應用以及其他晶圓廠和研發過程,例如石墨烯薄片轉移。

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